特許

J-GLOBAL ID：201703015613265665

CRスナバ回路

発明者： 神田 光彦 ,  田村 静里 ,  畑井 彰 ,  関本 安泰 ,  野尻 祐二 ,  林 良知
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013076822
公開番号（公開出願番号）：WO2015-049736
出願日： 2013年10月02日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：

実効インダクタンス成分の低減効果を高め、スイッチング素子のスイッチング時に発生するリンギング成分を抑制することが可能なCRスナバ回路を得る。基板の一方面に形成される第1の電流経路と基板の一方面の裏面の他方面に形成される第2の電流経路とが前記基板を挟み対向し、且つ、第1の電流経路と第2の電流経路とで互いに逆向きに電流が流れるように、コンデンサ5と抵抗6とが配置され、第1の電流経路に含まれるインダクタンス成分と第2の電流経路に含まれるインダクタンス成分とが結合して得られる実効インダクタンス成分と、コンデンサ5および抵抗6とにより帯域除去フィルタを形成する。

請求項（抜粋）：

スイッチング素子を含み形成されたパワー半導体モジュールに直流電圧を印加する直流端子間に直列接続されたコンデンサと抵抗とを含み、基板上に形成されるCRスナバ回路であって、 前記基板の一方面に形成される第1の電流経路と前記基板の一方面の裏面の他方面に形成される第2の電流経路とが前記基板を挟み対向し、且つ、前記第1の電流経路と前記第2の電流経路とで互いに逆向きに電流が流れるように、前記コンデンサと前記抵抗とが配置され、前記第1の電流経路に含まれるインダクタンス成分と前記第2の電流経路に含まれるインダクタンス成分とが結合して得られる実効インダクタンス成分と、前記コンデンサおよび前記抵抗とにより帯域除去フィルタを形成する ことを特徴とするCRスナバ回路。

IPC (4件)：

H02M 1/34 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/538 ,  H02M 1/00

FI (4件)：

H02M1/34 ,  H02M7/48 Z ,  H02M7/5387 Z ,  H02M1/00 F

Fターム (33件)：

5H007AA17 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740MM03 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5H770AA05 ,  5H770DA01 ,  5H770DA03 ,  5H770DA41 ,  5H770JA11W ,  5H770JA13W ,  5H770JA14W ,  5H770KA01W ,  5H770KA05W ,  5H770LA01W ,  5H770LA02W ,  5H770LA05W ,  5H770LA10W ,  5H770QA01 ,  5H770QA06 ,  5H770QA08 ,  5H770QA12 ,  5H770QA17 ,  5H770QA22 ,  5H770QA25