特許
J-GLOBAL ID：201703015717531650
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138690
公開番号（公開出願番号）：特開2014-149901
特許番号：特許第6096072号
出願日： 2013年07月02日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 演算部と、データ退避部と、を有し、
前記データ退避部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1のアナログスイッチと、第2のアナログスイッチと、インバータと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記演算部のノードと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のアナログスイッチは、前記ノードと、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方との電気的な接続を制御する機能を有し、
前記第2のアナログスイッチは、配線と、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方との電気的な接続を制御する機能を有し、
前記インバータは、前記第1のアナログスイッチと、前記第2のアナログスイッチとを反転動作させる機能を有し、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体に形成されたチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
G11C 11/41 ( 200 6.01)
, G11C 11/405 ( 200 6.01)
G11C 11/40 Z
, G11C 11/34 352 B
