特許

J-GLOBAL ID：201703015735717400

p型金属酸化物半導体材料及びトランジスタ

発明者： 邱 顯浩 ,  周 子▲き▼ ,  趙 文軒 ,  鄭 信民 ,  張 睦東 ,  黄 天恒 ,  蔡 任豐
出願人/特許権者： 財團法人工業技術研究院
代理人 (2件)： 早川 裕司 ,  村雨 圭介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-099185
公開番号（公開出願番号）：特開2017-103446
特許番号：特許第6186042号
出願日： 2016年05月18日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 AlxGe(1-x)Oy(0<x≦0.6であり、1.0≦y≦2.0)で構成されたp型金属酸化物半導体材料。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/78 618 Z