耐放射線型電子装置及び耐放射線型電子ユニット装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：光石俊郎 , 光石春平 , 田中康幸 , 松元洋 , 山田哲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-114005
公開番号（公開出願番号）：特開2017-221034
出願日： 2016年06月08日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：

【課題】MOSトランジスタを搭載したパワーコンバータの耐放射線性を向上して寿命を伸ばす。【解決手段】監視制御回路151,152の制御により、パワーコンバータ110の出力が低下してきたらパワーコンバータ120から出力をしてパワーコンバータ110を休止させ、パワーコンバータ120の出力が低下してきたらパワーコンバータ110から出力をしてパワーコンバータ120を休止させる。パワーコンバータ110,120は、休止期間においてヒータ161,162により加熱される。したがって休止期間において、休止したパワーコンバータ110,120に搭載したMOSトランジスタは、休止効果とアニール効果により、その特性が回復する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化膜を持つ半導体素子と、電力供給がされると前記半導体素子を加熱するヒータ回路と、前記半導体素子と前記ヒータ回路に対して電力の供給と停止を切替えるスイッチ回路と、前記半導体素子の特性変化を監視すると共に前記スイッチ回路の切替え動作を制御する監視制御回路とを有し、前記監視制御回路は、前記半導体素子が初期の特性であるときには、前記スイッチ回路の切替え動作を制御して、前記半導体素子に電力を供給させると共に前記ヒータ回路への電力の供給を停止させ、前記半導体素子の特性が初期の特性から逸脱したときには、前記スイッチ回路の切替え動作を制御して、前記半導体素子への電力の供給を停止させると共に前記ヒータ回路に電力を供給させることを特徴とする耐放射線型電子装置。

IPC (2件)：

H02J 1/10 , H02M 1/00

FI (2件)：

H02J1/10 , H02M1/00 Z

Fターム (11件)：

5G165BB02 , 5G165BB06 , 5G165DA01 , 5G165JA04 , 5G165LA03 , 5G165NA06 , 5G165PA01 , 5H740AA08 , 5H740BA12 , 5H740BB07 , 5H740MM00

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開昭60-198768
特開昭57-162358
特開昭62-177929

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審査官引用 (8件)

特開昭60-198768
特開昭57-162358
特開昭62-177929

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