特許
J-GLOBAL ID：201703015982021885
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大山 浩明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-544572
特許番号：特許第6154820号
出願日： 2013年10月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】処理室内に被処理基板を配置し,処理ガスのプラズマを生成することによって,前記被処理基板に形成された多層膜を,パターニングされたマスク層をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマ処理方法であって,
前記多層膜は,下地のシリコン膜上に形成された比誘電率の異なる第1膜及び第2膜が交互に積層された積層膜を有し,
フルオロカーボン系ガスと酸素ガスを含む処理ガスを前記処理室内に導入してプラズマを生成し,プラズマエッチングを行うことによって,前記積層膜に所定深さまで凹部を形成するメインエッチング工程と,その後に下地シリコン膜が露出するまで凹部を形成するオーバーエッチング工程とを行い,
前記オーバーエッチング工程は,前記フルオロカーボン系ガスに対する前記酸素ガスの流量比を前記メインエッチングよりも増加させて行う第1オーバーエッチングと,前記フルオロカーボン系ガスに対する前記酸素ガスの流量比を前記第1オーバーエッチングよりも減少させて行う第2オーバーエッチングとを2回以上繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 27/1155 ( 201 7.01)
, H01L 27/1158 ( 201 7.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
H01L 21/302 105 A
, H01L 27/115 6
, H01L 27/115 2
, H01L 29/78 371
