特許
J-GLOBAL ID：201703016129251281
電界によりパターン及び構造形成を制御する方法及びデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-524032
特許番号：特許第6114270号
出願日： 2012年07月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の処理中に電界による影響を受ける処理媒体を受容するように構成された処理チャンバと、
前記のチャンバ内で処理すべき基板を保持する基板保持部と、
処理中に、前記基板を、非一様な、時間空間的な電界にさらすように動作可能な少なくとも1つの電界アプリケータであって、前記電界アプリケータが電気的バイアスによって電気的に活性化されて、前記処理媒体が前記電界の存在下において双極性になるときに前記電界が前記処理媒体に影響を与える能力がある、電界アプリケータと、
前記少なくとも1つの電界アプリケータに時間変化する電気的バイアスを結合して、それにより前記電界アプリケータを活性化して、前記処理媒体又はその中の粒子が前記電界による影響を受けるように前記処理媒体又はその中の粒子の双極性特性と相互作用するように動作可能な分布結合ユニットと、
時間及び前記基板に対する位置の関数として変化する電界である時間空間的な電界であって、前記関数は、前記基板の処理における、又は前記基板の上の前記処理媒体又は粒子に対して、移動又は整合の影響を与えることに有効である、時間空間的な電界と、
を含む、処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/503 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C23C 16/503
, H01L 21/265 F
, H01L 21/306 Z
, H01L 21/205
