特許

J-GLOBAL ID：201703016169530981

半導体素子、感放射線性樹脂組成物、硬化膜および表示素子

発明者： 一戸 大吾
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (4件)： 関口 正夫 ,  仲野 孝雅 ,  祐成 篤哉 ,  大阿久 敦子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098711
公開番号（公開出願番号）：特開2014-039010
特許番号：特許第6056644号
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 インジウム(In)、亜鉛(Zn)および錫(Sn)のうちの少なくとも1種を含む酸化物を用いて形成された半導体層と、前記半導体層の第1面に設けられた電極とを有する半導体素子であって、 前記半導体層と前記電極との間に硬化膜が配置され、 前記硬化膜が下記式(1A-1)〜下記式(1A-9)で表される架橋部分の少なくとも一つを有することを特徴とする半導体素子。 (式(1A-7)〜式(1A-9)中、R0は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基を示す。)

IPC (7件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  C08G 59/68 ( 200 6.01) ,  C09K 3/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/312 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 618 B ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 501 ,  C08G 59/68 ,  C09K 3/00 K ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 21/312 A