特許

J-GLOBAL ID：201703016195800679

メモリデバイス

発明者： 前嶋 洋
出願人/特許権者： 東芝メモリ株式会社
代理人 (5件)： 蔵田 昌俊 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  鵜飼 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-051465
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168164
出願日： 2016年03月15日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】メモリデバイスの特性の向上を図る。【解決手段】本実施形態のメモリデバイスは、第1のデータに関連付けられた第1のメモリセルに対する判定動作時において、第1のメモリセルに接続された第1のビット線が、第1の電圧を用いて充電され(STP1)、第1のセンス動作が、第1のビット線の電流又は電位をセンスするために実行され(STP2)、第2の期間において、第1のセンス動作の結果が第1の結果である場合、第1のビット線は第1の電圧を用いて充電され、第1のセンス動作の結果が第2の結果である場合、第1のビット線は第1の電圧より小さい第2の電圧を用いて充電され(STP3)、第3の期間内において、第2のセンス動作が、充電が完了された第1のビット線の電流又は電位をセンスするために実行される(STP4)。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルと、 前記複数のメモリセルのゲートに接続されたワード線と、 前記複数のメモリセルの一端に接続された複数のビット線と、 前記複数のメモリセルのしきい値電圧の判定動作を制御する制御回路と、 を具備し、 前記複数のメモリセルのうち第1のデータに関連付けられた第1のメモリセルに対する前記判定動作時において、 第1の期間において、前記複数のビット線のうち前記第1のメモリセルに接続された第1のビット線が、第1の電圧を用いて充電され、 前記第1の期間内において、第1のセンス動作が、前記第1のビット線の電流又は電位をセンスするために、実行され、 第2の期間において、前記第1のセンス動作の結果が第1の結果である場合、前記第1のビット線は、前記第1の電圧を用いて充電され、前記第1のセンス動作の結果が第2の結果である場合、前記第1のビット線は前記第1の電圧より小さい第2の電圧を用いて充電され、 第3の期間内において、第2のセンス動作が、充電が完了された前記第1のビット線の電流又は電位をセンスするために、実行される、 メモリデバイス。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02

FI (4件)：

G11C17/00 634B ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 634C

Fターム (17件)：

5B225BA02 ,  5B225BA19 ,  5B225CA01 ,  5B225CA16 ,  5B225DA09 ,  5B225DB09 ,  5B225DB22 ,  5B225DB29 ,  5B225DB37 ,  5B225EA05 ,  5B225EB10 ,  5B225ED09 ,  5B225EE04 ,  5B225EE12 ,  5B225EG17 ,  5B225FA01 ,  5B225FA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-133839   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-220141   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-199055   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-170968   出願人：株式会社東芝