特許
J-GLOBAL ID：201703016350727606
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-111758
公開番号（公開出願番号）：特開2017-079324
出願日： 2016年06月03日
公開日（公表日）： 2017年04月27日
要約：
【課題】高温度条件下においても信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】メイン半導体素子10と同一の炭化珪素基体100に、過電圧保護部、電流センス部および温度センス部等の保護・制御回路が配置されている。メイン半導体素子10のゲートパッド19、保護・制御回路を構成する複数の半導体素子の各電極パッド32,48,54,55は、活性領域101の中央部に直線状に1列に配置されている。メイン半導体素子10のソースパッド12は、ソースパッド12以外の電極パッド19,32,48,54,55を挟み込むように複数配置されている。メイン半導体素子10のソースパッド12およびゲートパッド19と、保護・制御回路を構成する複数の半導体素子の各電極パッド32,48,54,55には、すべてめっき膜および半田膜を介して端子ピンが配置されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコンよりもバンドギャップの広い半導体からなる同一の半導体基板に配置された複数の半導体素子と、
前記半導体基板のおもて面に所定の平面レイアウトに配置され、前記複数の半導体素子にそれぞれ電気的に接続された複数の電極パッドと、
を備え、
前記電極パッドの電位を外部に取り出す端子ピンを、すべての前記電極パッド上にそれぞれめっき膜を介して半田接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/76
, H01L 21/336
, H01L 29/868
, H01L 29/861
, H01L 21/329
, H01L 29/866
H01L29/78 652Q
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 657A
, H01L29/78 657G
, H01L29/78 652R
, H01L29/78 656B
, H01L29/78 656F
, H01L29/78 656E
, H01L29/78 658Z
, H01L29/91 F
, H01L29/91 L
, H01L29/78 657F
, H01L29/90 C
