被処理体を処理する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柏岡潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-101357
公開番号（公開出願番号）：特開2017-073535
出願日： 2016年05月20日
公開日（公表日）： 2017年04月13日
要約：

【課題】被処理体上のパターン形成において高精度の最小線幅の制御と安定した最小線幅の再現性等とを実現するのための方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置の処理容器内にアミノシラン系ガスを含む第1のガスを供給する第1工程と第1工程の実行後に処理容器内の空間をパージする第2工程と第2工程の実行後に処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成する第3工程と第3工程の実行後に処理容器内の空間をパージする第4工程とを含むシーケンスを繰り返し実行し処理容器内にシリコン酸化膜を形成する形成工程と、被処理体を処理容器内に収容する前に行う準備工程と、処理容器内に収容された被処理体に対しエッチング処理を行う処理工程とを備え、準備工程は処理工程の前に行われ形成工程は準備工程において実行され且つ処理工程において実行され第1工程は第1のガスのプラズマを生成しない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体を処理する方法であって、プラズマ処理装置の処理容器内にアミノシラン系ガスを含む第1のガスを供給する第1工程と、前記第1工程の実行後に前記処理容器内の空間をパージする第2工程と、前記第2工程の実行後に前記処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成する第3工程と、前記第3工程の実行後に前記処理容器内の空間をパージする第4工程と、を含むシーケンスを繰り返し実行し前記処理容器内にシリコン酸化膜を形成する形成工程と、前記被処理体を前記処理容器内に収容する前に行う準備工程と、前記処理容器内に収容された前記被処理体に対しエッチング処理を行う処理工程と、を備え、前記準備工程は、前記処理工程の前に行われ、前記形成工程は、前記準備工程において実行され、且つ、前記処理工程において実行され、前記第1工程は、前記第1のガスのプラズマを生成しない、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , G03F 7/40

FI (4件)：

H01L21/302 101H , H01L21/302 105A , G03F7/40 521 , G03F7/40 511

Fターム (44件)：

2G084AA02 , 2G084BB14 , 2G084BB26 , 2G084CC04 , 2G084CC05 , 2G084CC12 , 2G084CC33 , 2G084DD02 , 2G084DD15 , 2G084DD23 , 2G084DD37 , 2G084DD38 , 2G084DD55 , 2G084FF03 , 2G084FF04 , 2G084FF15 , 2G084FF32 , 2H196AA25 , 2H196HA24 , 2H196HA34 , 5F004AA09 , 5F004AA15 , 5F004BA06 , 5F004BA09 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004EA03 , 5F004EA13 , 5F004EA27 , 5F004EA28

前のページに戻る