半導体装置、電源装置及び増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 加藤隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-020300
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139390
出願日： 2016年02月04日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：

【課題】ドレインラグが発生することなく、電流コラプスの発生が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】基板の上に、窒化物半導体により形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に、窒化物半導体により形成された組成傾斜層と、前記組成傾斜層の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記バッファ層は、GaNを含む材料により形成されており、前記組成傾斜層は、前記バッファ層の側から前記第1の半導体層の側に向かって、Alの組成比が増加していることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に、窒化物半導体により形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に、窒化物半導体により形成された組成傾斜層と、前記組成傾斜層の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記バッファ層は、GaNを含む材料により形成されており、前記組成傾斜層は、前記バッファ層の側から前記第1の半導体層の側に向かって、Alの組成比が増加していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (16件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GT01 , 5F102HC01

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