グラフェン等の極薄膜作成用プラズマCVD装置、及びその作成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055106
公開番号（公開出願番号）：特開2017-166051
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】転写工程等の複雑な製造プロセスや触媒を用いずに、低コスト、かつ簡単な製造プロセスで良質のグラフェン等の二次元極薄膜を絶縁性基板上に、直接、成膜することが課題である。【解決手段】プラズマCVD装置において、高周波側と接地側の電極位置をずらすか、あるいは、高周波側と接地側の一方の電極形状をドーナツ型として、両者の電極の重なりを無くすか、小さする。さらに、原料ガス分子の伸縮振動を引き起こす波長の光をプラズマ中に照射することで入力する高周波電力を小さくする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

平行平板型プラズマCVD装置において、高周波側と接地側の電極位置をずらして両者の重なりを無くすか、小さくして、試料と反対側位置に電極が無い構造としたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/509 , C23C 16/48 , H05H 1/46

FI (3件)：

C23C16/509 , C23C16/48 , H05H1/46 M

Fターム (40件)：

2G084AA05 , 2G084BB11 , 2G084BB37 , 2G084CC12 , 2G084CC33 , 2G084DD02 , 2G084DD13 , 2G084DD15 , 2G084DD66 , 2G084FF04 , 4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC01 , 4G146BC09 , 4G146BC15 , 4G146BC16 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC27 , 4G146BC32B , 4G146BC37B , 4G146BC38B , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA23 , 4G146DA33 , 4G146DA40 , 4G146DA46 , 4G146DA50 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030FA03 , 4K030FA08 , 4K030KA15 , 4K030KA37

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