特許
J-GLOBAL ID:201703017150399422
導電性透明酸化物膜を含む積重体で被覆された基材の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 蛯谷 厚志
, 出野 知
, 関根 宣夫
, 塩川 和哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-524444
公開番号(公開出願番号):特表2016-536246
出願日: 2014年10月14日
公開日(公表日): 2016年11月24日
要約:
本発明は、面のうちの少なくとも一方の少なくとも一部分を、銀の膜を含まずに導電性の透明酸化物の薄膜を少なくとも1つ含む薄膜の積重体で被覆された、ガラス又はガラスセラミック膜を含む材料を製造するための方法に関する。この方法は、前記積重体を被着させる工程であって、前記導電性の透明酸化物の薄層と少なくとも1つの均一化薄膜とを被着させ、当該均一化薄膜は金属、金属炭化物、又は窒化アルミニウム以外の金属窒化物で製作した層である、積重体被着工程と、その後前記積重体を放射線に曝露する熱処理工程とを含む。
請求項(抜粋):
面のうちの少なくとも一方の少なくとも一部分が、銀層を含まずに透明な導電性酸化物の薄層を少なくとも1つ含む薄層の積重体により被覆された、ガラス又はガラスセラミック製の基材を含む材料を得るための方法であって、
・前記積重体を被着させる工程であって、透明な導電性酸化物の前記薄層と少なくとも1つの均一化薄層とを被着させ、当該均一化薄層は金属層であるか、又は窒化アルミニウム以外の金属窒化物をベースとする層であるか、又は金属炭化物をベースとする層である、積重体被着工程、
・その後前記積重体を放射線に曝露する熱処理工程、
を含む、透明な導電性酸化物の薄層を含む積重体で被覆された基材を含む材料を得るための方法。
IPC (13件):
C03C 17/36
, H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/28
, H05B 33/26
, H05B 33/02
, C03C 17/34
, C03C 23/00
, B32B 7/02
, B32B 9/04
, B32B 15/04
, B32B 17/06
, B32B 18/00
FI (14件):
C03C17/36
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/28
, H05B33/26 Z
, H05B33/02
, C03C17/34 Z
, C03C23/00 D
, B32B7/02 103
, B32B7/02 104
, B32B9/04
, B32B15/04
, B32B17/06
, B32B18/00 B
Fターム (112件):
3K107AA01
, 3K107CC33
, 3K107CC45
, 3K107DD22
, 3K107DD24
, 3K107DD27
, 3K107DD29
, 3K107DD44X
, 3K107DD44Y
, 3K107DD45X
, 3K107DD45Y
, 3K107DD46X
, 3K107DD46Y
, 3K107FF06
, 3K107FF13
, 3K107FF15
, 3K107GG28
, 4F100AA12D
, 4F100AA12E
, 4F100AA15D
, 4F100AA15E
, 4F100AA17A
, 4F100AA17C
, 4F100AA17E
, 4F100AA19A
, 4F100AA19C
, 4F100AA19E
, 4F100AA20
, 4F100AA21A
, 4F100AA21C
, 4F100AA21E
, 4F100AA25A
, 4F100AA25C
, 4F100AA25E
, 4F100AA28A
, 4F100AA28C
, 4F100AA28E
, 4F100AA29A
, 4F100AA29C
, 4F100AA29E
, 4F100AA33A
, 4F100AA33C
, 4F100AA33E
, 4F100AB00D
, 4F100AB00E
, 4F100AB01D
, 4F100AB01E
, 4F100AB10D
, 4F100AB10E
, 4F100AB12D
, 4F100AB12E
, 4F100AB18D
, 4F100AB18E
, 4F100AB19D
, 4F100AB19E
, 4F100AB21D
, 4F100AB21E
, 4F100AB31D
, 4F100AB31E
, 4F100AD00B
, 4F100AG00B
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA06
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100BA10E
, 4F100DC00A
, 4F100DC00C
, 4F100DC00E
, 4F100EH66
, 4F100EJ42A
, 4F100EJ42C
, 4F100EJ42D
, 4F100EJ42E
, 4F100EJ52A
, 4F100EJ52C
, 4F100EJ52D
, 4F100EJ52E
, 4F100GB07
, 4F100GB41
, 4F100GB81
, 4F100JG01A
, 4F100JG01C
, 4F100JG01E
, 4F100JM02A
, 4F100JM02C
, 4F100JM02D
, 4F100JM02E
, 4F100JN01A
, 4F100JN01C
, 4F100JN01E
, 4F100YY00A
, 4F100YY00C
, 4F100YY00D
, 4F100YY00E
, 4G059AA01
, 4G059AB05
, 4G059AB09
, 4G059AC06
, 4G059AC12
, 4G059GA01
, 4G059GA02
, 4G059GA04
, 4G059GA05
, 4G059GA12
, 4G059GA14
引用特許:
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