特許
J-GLOBAL ID：201703017210302369
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-114616
公開番号（公開出願番号）：特開2016-189477
特許番号：特許第6190920号
出願日： 2016年06月08日
公開日（公表日）： 2016年11月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、
酸化物半導体からなるチャネル層と、
前記ゲート電極と前記チャネル層との間に設けられたゲート絶縁膜と、
前記チャネル層を基準として前記ゲート絶縁膜とは反対側に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を、前記チャネル層とは反対側から覆う保護膜と、
を有する薄膜トランジスタであって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、前記チャネル層側から前記保護膜側に向かって、下層バリア層、主配線低抵抗層及び上層キャップ層をこの順で含む積層金属膜で形成され、
前記主配線低抵抗層は銅あるいは銅合金であり、前記下層バリア層及び前記上層キャップ層は、いずれも、ニッケル及びニオブを含有するモリブデン合金からなり、
前記モリブデン合金は、ニッケルを15〜20原子%含有し、ニオブを5〜10原子%含有し、残りがモリブデンであること、
を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (9件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 21/3213 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 617 M
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 R
, H01L 21/28 E
, H01L 29/44 S
, H01L 21/88 C
, H01L 21/306 F
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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