特許

J-GLOBAL ID：201703017274569423

スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 梅本 啓太 ,  張 守斌 ,  陸田 雄也
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  ソーラーフロンティア株式会社
代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  松沼 泰史 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-204630
公開番号（公開出願番号）：特開2017-082326
出願日： 2016年10月18日
公開日（公表日）： 2017年05月18日
要約：

【課題】In-Cu合金からなり、加工性に優れるとともに、スパッタ時の異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及び、このスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】Inを45原子%以上90原子%以下の範囲で含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有し、In単体相と、Cu11In9化合物相と、が存在し、前記In単体相及び前記Cu11In9化合物相のXRDのピーク比I(In)/I(Cu11In9)が0.01以上3以下の範囲内とされ、前記Cu11In9化合物相の平均粒径が150μm以下とされ、酸素量が500質量ppm以下とされ、理論密度比が85%以上とされている。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Inを45原子%以上90原子%以下の範囲で含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有し、 In単体相と、Cu11In9化合物相と、が存在し、前記In単体相及び前記Cu11In9化合物相のXRDのピーク比I(In)/I(Cu11In9)が0.01以上3以下の範囲内とされ、 前記Cu11In9化合物相の平均粒径が150μm以下とされ、酸素量が500質量ppm以下とされ、理論密度比が85%以上とされていることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C22C 28/00 ,  B22F 9/08 ,  B22F 3/10 ,  C22C 1/02 ,  H01L 31/074

FI (6件)：

C23C14/34 A ,  C22C28/00 B ,  B22F9/08 A ,  B22F3/10 F ,  C22C1/02 503N ,  H01L31/06 460

Fターム (28件)：

4K017AA01 ,  4K017BA05 ,  4K017BA10 ,  4K017BB05 ,  4K017BB18 ,  4K017FA02 ,  4K017FA11 ,  4K017FA12 ,  4K017FA14 ,  4K018AA04 ,  4K018AA40 ,  4K018BA02 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018DA32 ,  4K018DA33 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5F151AA10 ,  5F151CA13 ,  5F151CB15 ,  5F151DA07