表面反応速度モデル最適化によるエッチングプロファイルマッチングのための方法および装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-238928
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135365
出願日： 2016年12月09日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：

【課題】複数のモデルパラメータを使用して、半導体デバイス上のエッチング後のフィーチャプロファイルと、入力独立パラメータのセットに関連付けるコンピュータ化されたモデルを最適化する方法を提供する。【解決手段】最適化方法は、モデルによって生成されたエッチングプロファイルが、入力独立パラメータのセットを用いて得られる実験的エッチングプロファイルと、それらの実験的エッチングプロファイルに対応して、モデルから生成された計算上のエッチングプロファイルと、の間の総合差異を示すメトリックを低減させるものとなるように、モデルパラメータに変更を加えること、を含む。そのメトリックは、計算上のエッチングプロファイルおよび対応した実験的エッチングプロファイルを、これらのプロファイル間の差異の計算に使用される次元削減した部分空間に投影することによって、計算される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のモデルパラメータを使用して、半導体デバイス上のエッチング後のフィーチャプロファイルを、入力独立パラメータのセットに関連付けるコンピュータ化されたモデルを、最適化する方法であって、前記方法は、 (a)最適化対象のモデルパラメータの選択されたセットについて、値のセットを特定することと、 (b)最適化に関わる入力独立パラメータの選択されたセットについて、値の複数セットを特定することと、 (c)として、(b)で指定された値セットの各々について、(b)で指定された前記値セットを用いて実験的エッチングプロセスを実行した結果として得られる実験的エッチングプロファイルを受け取ることと、 (d)として、(b)で指定された値セットの各々について、(a)で指定された前記値セットおよび(b)で指定された前記値セットを用いて、前記モデルから計算上のエッチングプロファイルを生成することと、 (e)前記選択された入力独立パラメータについて(b)で指定された前記複数の値セットのすべてにわたって総計された、(c)で受け取った実験的エッチングプロファイルと対応して(d)で生成された計算上のエッチングプロファイルとの間の総合差異を示すメトリックを低減させるように、モデルパラメータの前記選択されたセットについて(a)で指定された値の1つ以上に変更を加えることと、前記変更された値セットを用いて(d)を繰り返すことと、を含み、 (e)で前記メトリックを計算することは、前記計算上のエッチングプロファイルおよび対応した前記実験的エッチングプロファイルを、次元削減した部分空間に投影することと、前記部分空間に投影されたプロファイル間の差異を計算することと、を含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101G , H05H1/46 L , H05H1/46 M

Fターム (51件)：

2G084AA02 , 2G084AA04 , 2G084AA05 , 2G084AA08 , 2G084BB02 , 2G084BB03 , 2G084BB05 , 2G084BB13 , 2G084BB14 , 2G084BB26 , 2G084BB27 , 2G084CC12 , 2G084CC13 , 2G084CC33 , 2G084DD02 , 2G084DD03 , 2G084DD13 , 2G084DD15 , 2G084DD24 , 2G084DD41 , 2G084DD55 , 2G084DD67 , 2G084FF01 , 2G084FF07 , 2G084FF19 , 2G084FF21 , 2G084FF22 , 2G084FF23 , 2G084FF40 , 2G084HH02 , 2G084HH05 , 2G084HH15 , 2G084HH16 , 2G084HH17 , 2G084HH19 , 2G084HH20 , 2G084HH21 , 2G084HH22 , 2G084HH25 , 2G084HH26 , 2G084HH28 , 2G084HH30 , 2G084HH34 , 2G084HH35 , 2G084HH36 , 5F004AA09 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004EA37

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