特許
J-GLOBAL ID：201703017483453297

ナノインプリント用テンプレートの製造方法

発明者：
人見 陽一

人見 陽一 について

, 
坂本 武士

坂本 武士 について

, 
栗原 正彰

栗原 正彰 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (6件)： 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-010692
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029981
特許番号：特許第6127535号
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光透過性基板に凹凸のパターンを形成したナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、 前記光透過性基板上に、金属薄膜が形成されている基板を準備する工程と、 前記金属薄膜上に、レジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをスリミングする工程と、 前記スリミングしたレジストパターンの側面及び上面、並びに前記金属薄膜の上面を覆うように被覆膜を形成する工程と、 前記被覆膜をエッチバックして、前記レジストパターン及び前記金属薄膜を露出させるとともに、前記被覆膜を前記レジストパターンの側面に残して側壁マスクとする工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記側壁マスクを用いて前記金属薄膜をエッチングして金属薄膜パターンを形成する工程と、 前記側壁マスクを除去する工程と、 前記金属薄膜パターンをマスクとして、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程と、 前記金属薄膜パターンを除去する工程と、 を含み、 前記光透過性基板が石英ガラス基板であり、前記側壁マスクがシリコンを含む化合物より構成され、前記側壁マスクを除去する工程において前記側壁マスクが残存した場合には、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程で、前記残存した側壁マスクを除去することを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/30 502 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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