特許

J-GLOBAL ID：201703017497403977

多孔性非犠牲支持層を用いた二次元材料とのコンポジット構造を形成するための方法

発明者： シンサバウ スティーヴン ロイド ,  ベドワース ピーター ヴイ ,  キャシー デイヴィッド フランシス ジュニア ,  ハイゼ スコット イー ,  シントン スティーヴン ダブリュー ,  ストルテンバーグ ランダル マーク ,  スウェット ジェイコブ ルイス
出願人/特許権者： ロッキード マーティン コーポレイション
代理人 (8件)： 西島 孝喜 ,  弟子丸 健 ,  田中 伸一郎 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫 ,  市川 さつき ,  服部 博信
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-549046
公開番号（公開出願番号）：特表2017-507044
出願日： 2015年01月29日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
要約：

成長基材からグラフェン、グラフェン系材料、およびその他の二次元材料などの原子薄膜を取り外し、次にその薄膜を二次基材へ移送することは困難であり得る。取り外しおよび移送プロセスの過程で、引裂きおよびコンフォーマル性の問題が持ち上がる可能性がある。グラフェンまたはグラフェン系材料などの二次元材料を操作することによってコンポジット構造を形成するための方法は、成長基材に接着した二次元材料を用意すること;二次元材料が成長基材に接着した状態で、二次元材料上に支持層を堆積すること;および成長基材から二次元材料を剥離することを含んでよく、成長基材からの二次元材料の剥離後、二次元材料は、支持層と接触した状態が維持される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

成長基材に接着した二次元材料を用意すること、 二次元材料が成長基材に接着した状態で、二次元材料上に支持層を堆積すること、および 成長基材から二次元材料を剥離すること を含み、成長基材から二次元材料を剥離した後、二次元材料は、支持層と接触した状態を維持している、方法。

IPC (10件)：

B32B 9/00 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  B01D 67/00 ,  B01D 69/10 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 ,  B32B 5/18 ,  B32B 18/00

FI (9件)：

B32B9/00 Z ,  C01B31/02 101Z ,  B01D67/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  B32B9/00 A ,  B32B5/18 101 ,  B32B18/00 B

Fターム (48件)：

4D006GA03 ,  4D006GA06 ,  4D006GA07 ,  4D006MA03 ,  4D006MA09 ,  4D006MA22 ,  4D006MA31 ,  4D006MC05 ,  4D006MC18 ,  4D006MC22 ,  4D006MC23 ,  4D006MC29 ,  4D006MC30 ,  4D006MC49 ,  4D006MC62 ,  4D006MC63 ,  4D006MC81 ,  4D006MC83 ,  4D006NA31 ,  4D006NA33 ,  4D006NA46 ,  4D006PA01 ,  4D006PB02 ,  4D006PB52 ,  4D006PB55 ,  4F100AA14B ,  4F100AA37B ,  4F100AK04D ,  4F100AK18D ,  4F100AK55D ,  4F100AT00A ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA43C ,  4F100DJ00C ,  4F100DJ10C ,  4F100EC042 ,  4F100EH46D ,  4F100EJ333 ,  4F100GB56 ,  4F100JL14A ,  4F100YY00C ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD40