特許

J-GLOBAL ID：201703017585576431

半導体装置、および半導体装置の試験方法

発明者： 奥津 吉隆
出願人/特許権者： 旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092030
公開番号（公開出願番号）：特開2017-198634
出願日： 2016年04月28日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：

【課題】MOSトランジスタに所望の電圧が印加されているかを判定できる半導体装置を提供する【解決手段】ゲート端子と、ゲート端子によって接続状態が制御される第1端子および第2端子とを有するMOSトランジスタと、MOSトランジスタのゲート端子に接続され、ゲート端子に試験用のゲート電圧を印加する印加回路と、MOSトランジスタの第1端子に接続され、接続先の電圧を試験用にモニタするモニタ回路と、を備える半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート端子と、前記ゲート端子によって接続状態が制御される第1端子および第2端子とを有するMOSトランジスタと、 前記MOSトランジスタの前記ゲート端子に接続され、前記ゲート端子に試験用のゲート電圧を印加する印加回路と、 前記MOSトランジスタの前記第1端子に接続され、接続先の電圧を試験用にモニタするモニタ回路と、 を備える半導体装置。

IPC (2件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

G01R31/28 V ,  G01R31/26 B

Fターム (12件)：

2G003AA02 ,  2G003AC01 ,  2G003AE09 ,  2G003AG09 ,  2G003AH06 ,  2G132AA00 ,  2G132AB03 ,  2G132AB20 ,  2G132AG09 ,  2G132AK07 ,  2G132AK22 ,  2G132AL11