特許
J-GLOBAL ID：201703017719628239
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-133152
特許番号：特許第6151830号
出願日： 2016年07月05日
要約：
【課題】 他の種類の半導体記憶装置と互換性のある動作モードを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置10は、複数のメモリ素子を含むメモリアレイ20と、アドレスデータに基づき前記メモリアレイのメモリ素子を選択する選択手段と、書込みデータによりメモリ素子のデータの上書きを可能にするRAM動作モード、書込みデータが第1の値のときメモリ素子のデータの上書きを可能にし、第2の値のとき書き換えを禁止するフラッシュモードのいずれかを選択するモード選択部30と、動作モード選択部30により選択されたRAMモードまたはフラッシュモードに応じて選択メモリ素子に書込みデータの書込みを行う書込み制御手段とを有する。
【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数のメモリ素子を含むメモリアレイと、
アドレスデータに基づき前記メモリアレイのメモリ素子を選択する選択手段と、
書込みデータによりメモリ素子のデータの上書きを可能にする第1の動作モード、書込みデータが第1の値のときメモリ素子のデータの上書きを可能にし、第2の値のとき書き換えを禁止する第2の動作モードのいずれかを選択可能な動作モード選択手段と、
前記動作モード選択手段により選択された第1の動作モードまたは第2の動作モードに応じて、前記選択手段により選択されたメモリ素子に書込みデータの書込みを行う書込み制御手段と、
を含む不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 13/00 480 Z
, G11C 13/00 215
