特許

J-GLOBAL ID：201703017756674542

膜パターン描画方法、塗布膜基材、及び、塗布装置

発明者： 福島 雄悟 ,  友枝 哲
出願人/特許権者： 東レエンジニアリング株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-224645
公開番号（公開出願番号）：特開2017-104854
出願日： 2016年11月18日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：

【課題】インクジェット法により基材上に膜パターンを形成する場合に、描画性を向上させることができ、さらに、描画性が向上に伴う膜パターン形成時間の増加を抑えることができる膜パターン描画方法、塗布膜基材、及び、塗布装置の提供。【解決手段】基材上の膜形成領域にインクジェット法により液滴30bを行って膜パターン33を形成する膜パターン描画方法であって、基材上の膜形成領域を描画可能な微少液滴30aを吐出することにより下地膜パターン32を形成する下地膜形成工程と、下地膜パターン32上に下地膜パターン32を形成した液滴よりも液量の多い液滴30bを吐出することにより厚膜パターン33を形成する厚膜形成工程とを有する膜パターン描画方法。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基材上の膜形成領域にインクジェット法により液滴を行って膜パターンを形成する膜パターン描画方法であって、 基材上の膜形成領域を描画可能な微少液滴を吐出することにより下地膜パターンを形成する下地膜形成工程と、 前記下地膜パターン上に前記下地膜パターンを形成した液滴よりも液量の多い液滴を吐出することにより膜パターンを形成する厚膜形成工程と、 を有することを特徴とする膜パターン描画方法。

IPC (4件)：

B05D 1/26 ,  B05D 7/24 ,  B05C 5/00 ,  B05C 11/00

FI (4件)：

B05D1/26 Z ,  B05D7/24 301M ,  B05C5/00 101 ,  B05C11/00

Fターム (26件)：

4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC73 ,  4D075AC88 ,  4D075AC92 ,  4D075AC93 ,  4D075AE04 ,  4D075AE05 ,  4D075AE06 ,  4D075BB24Z ,  4D075BB25X ,  4D075BB25Z ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB31 ,  4D075DC22 ,  4D075DC27 ,  4D075EA33 ,  4F041AA02 ,  4F041AB01 ,  4F041BA13 ,  4F041BA34 ,  4F042AA02 ,  4F042BA08 ,  4F042BA25 ,  4F042DH09