特許
J-GLOBAL ID:201703018003896212
発光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-087841
公開番号(公開出願番号):特開2017-199748
出願日: 2016年04月26日
公開日(公表日): 2017年11月02日
要約:
【課題】光度の調整が容易で且つ極めて低光度まで調整を行うことが可能な発光装置を提供する。【解決手段】発光装置10は、第1の基板11と、第2の基板17及び第2の基板17上に形成され且つ発光層を含む半導体構造層19からなり、第1の基板17上に搭載された発光素子15と、発光素子15の第1の基板11側の面と反対側の面を含む表面上に形成され、発光層からの光を遮光する遮光性材料と発光層からの光を透過する透光性粒子とを含む減光体22と、を有することを特徴とする。【選択図】図1B
請求項(抜粋):
第1の基板と、
第2の基板及び前記第2の基板上に形成され且つ発光層を含む半導体構造層からなり、前記第1の基板上に搭載された発光素子と、
前記発光素子の前記第1の基板側の面と反対側の面を含む表面上に形成され、前記発光層からの光を遮光する遮光性材料と、前記発光層からの光を透過する透光性粒子と、を含む減光体と、
を有することを特徴とする発光装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (21件):
5F142AA01
, 5F142BA14
, 5F142BA23
, 5F142BA32
, 5F142CA03
, 5F142CA13
, 5F142CC03
, 5F142CD02
, 5F142CD17
, 5F142CD18
, 5F142CD45
, 5F142CE03
, 5F142CE16
, 5F142CG03
, 5F142CG04
, 5F142CG05
, 5F142CG43
, 5F142DA02
, 5F142DA12
, 5F142DA73
, 5F142DB17
引用特許:
審査官引用 (6件)
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発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-094682
出願人:E&EJapan株式会社
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-092202
出願人:日東電工株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-168876
出願人:日亜化学工業株式会社
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