特許
J-GLOBAL ID:201703018127899708

半導体装置及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 龍華国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-027946
公開番号(公開出願番号):特開2017-147327
出願日: 2016年02月17日
公開日(公表日): 2017年08月24日
要約:
【課題】ワイヤの接合部を保護する。【解決手段】半導体装置100は、表面に電極を有する半導体素子12、半導体素子12の電極に接合されるワイヤ15、半導体素子12の表面におけるワイヤ15の接合部を覆う樹脂層22b、並びに半導体素子12、ワイヤ15、及び樹脂層22bを封止するゲル充填材23を備える。樹脂層22bによりワイヤ15の接合部を保護することで、その劣化が緩和され、半導体装置100の信頼性が向上する。【選択図】図1B
請求項(抜粋):
第1表面電極と第1ガードリングを有する第1半導体素子と、 第2表面電極と第2ガードリングを有する第2半導体素子と、 前記第1表面電極に接合される第1ワイヤと、 前記第2表面電極に接合される第2ワイヤと、 前記第1及び第2ガードリングの少なくとも一方を覆う第1樹脂層と、 前記第1及び第2半導体素子、前記第1及び第2ワイヤ、および前記第1樹脂層を封止するゲル充填材と、 を備える半導体装置。
IPC (5件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56
FI (3件):
H01L25/04 C ,  H01L23/30 B ,  H01L21/56 E
Fターム (12件):
4M109AA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA10 ,  4M109EC01 ,  4M109EC05 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04 ,  5F061FA02 ,  5F061FA05
引用特許:
審査官引用 (1件)

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