特許

J-GLOBAL ID：201703018267905384

酸化物誘電体素子及び酸化物誘電体素子の製造方法

発明者： 鈴木 亮由 ,  木村 勲 ,  小林 宏樹 ,  森川 泰宏 ,  久保 昌司
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 阿部 英樹 ,  石島 茂男
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016075301
公開番号（公開出願番号）：WO2017-038806
出願日： 2016年08月30日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：

本発明は、保護膜による拘束力を小さくして圧電特性を向上させ、また誘電率の低下を抑制するとともに、水素イオンによる還元劣化に起因する物理特性の低下を防止することができる酸化物誘電体素子の保護膜の技術を提供する。 本発明の酸化物誘電体素子15は、Si基板1と、Si基板1上に設けられ、酸化物誘電体層5を挟んで設けられた第1及び第2の電極層4、6を有する酸化物誘電体薄膜積層体8とを備え、酸化物誘電体薄膜積層体8は、高分子重合体からなる保護膜7によって覆われている。保護膜7は、蒸着重合法によって形成することができる。

請求項（抜粋）：

基体と、 前記基体上に設けられ、酸化物誘電体層を挟んで設けられた第1及び第2の電極層を有する酸化物誘電体薄膜積層体とを備え、 前記酸化物誘電体薄膜積層体が、高分子重合体からなる保護膜によって覆われている酸化物誘電体素子。

IPC (3件)：

H01L 41/053 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/23

FI (3件)：

H01L41/053 ,  H01L41/187 ,  H01L41/23