特許
J-GLOBAL ID：201703018350307120

有機EL装置の製造方法、および有機EL装置

発明者：
佐藤 久克

佐藤 久克 について

, 
村田 賢志

村田 賢志 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  渡辺 和昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-065749
公開番号（公開出願番号）：特開2014-191962
特許番号：特許第6164402号
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1反射膜と、第1画素電極と、第1発光層と、第1対向電極と、を有し、前記第1反射膜と前記第1対向電極との間で第1色の光を共振させる第1画素と、 第2反射膜と、第2画素電極と、第2発光層と、第2対向電極と、を有し、前記第2反射膜と前記第2対向電極との間で第2色の光を共振させる第2画素と、 を含む有機EL装置の製造方法であって、 前記第1反射膜の表面位置と前記第2反射膜の表面位置とが異なるように前記第1反射膜及び前記第2反射膜を形成する反射膜形成工程と、 前記第1反射膜及び前記第2反射膜を連続して覆うように、前駆体絶縁層を形成した後、前記前駆体絶縁層の上面を平坦化処理することで、平坦面である第1面を有する第1絶縁層を形成する工程と、 前記第1絶縁層の前記第1面の上に前記第1画素電極及び前記第2画素電極を形成する画素電極形成工程と、 前記反射膜形成工程の前に、第2絶縁層の上に、第3絶縁層を形成する工程と、 前記反射膜形成工程の前に、前記第3絶縁層をエッチングすることで、第1画素領域の前記第3絶縁層を除去する工程と、 を含み、 前記反射膜形成工程では、 前記第2絶縁層の上に前記第1反射膜を形成し、前記第3絶縁層の上に前記第2反射膜を形成し、 前記第1絶縁層を形成する工程では、 前記第1画素と前記第2画素において、それぞれ異なる膜厚を有し、かつ、平坦面である前記第1面を有する前記第1絶縁層を形成し、 前記第2絶縁層は、前記第3絶縁層よりも前記エッチングにより除去される速度が遅いことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
IPC (6件)：
H05B 33/22 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H05B 33/24 ( 200 6.01) ,  H01L 27/32 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H05B 33/22 Z ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/24 ,  H01L 27/32 ,  G09F 9/30 365
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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