特許

J-GLOBAL ID：201703018501406281

プラズマエッチング装置

発明者： アンソニー ポール ウィルビー ,  スティーブン アール バーゲス ,  イアン モンクリフ ,  ポール デンズリー ,  クライブ エル ウィディックス ,  ポール リッチ ,  エイドリアン トーマス
出願人/特許権者： エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  胡田 尚則 ,  齋藤 都子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-125812
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028261
出願日： 2016年06月24日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

【課題】ICPプラズマエッチング装置における汚染を減少させること。【解決手段】装置10が、チャンバー12と、チャンバー内部に位置する基材支持体であるプラテン20と、基材(ウエハ)のエッチングに用いられるプラズマ発生装置を使用する際に、基材の周辺部分が望まない粒子状材料の汚染から保護されるように、基材支持体を取り囲んでいる背面スパッター28の形態の保護構造を持ち、金属性材料が保護構造からチャンバーの内表面上へスパッターされて、内表面に粒子状材料を吸着させることができるように、保護構造が電気的にバイアスされるように配置され、かつ、金属性材料から形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材をエッチングするICPプラズマエッチング装置であって、プラズマエッチング装置が、 少なくとも1つのチャンバーと、 チャンバー内部に位置する基材支持体と、 基材のエッチングに用いられるプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、 使用の際に、基材の周辺部分が、材料の望まない堆積から保護されるように、基材支持体を取り囲んでいる保護構造と、を含み、 金属性材料が保護構造からチャンバーの内表面上へスパッターされて、内表面に粒子状材料を吸着させることができるように、保護構造が、電気的にバイアスされるように配置され、かつ、金属性材料から形成されている、プラズマエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101C ,  H05H1/46 L

Fターム (23件)：

2G084AA02 ,  2G084BB11 ,  2G084BB12 ,  2G084BB25 ,  2G084BB26 ,  2G084CC13 ,  2G084CC33 ,  2G084DD03 ,  2G084DD13 ,  2G084DD38 ,  2G084DD55 ,  2G084FF04 ,  2G084FF06 ,  2G084FF07 ,  2G084FF38 ,  2G084FF39 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004CA06