特許
J-GLOBAL ID：201703018574140344
電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047737
公開番号（公開出願番号）：特開2013-230078
特許番号：特許第6169376号
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 緩衝記憶装置及びプロセッサを有する電池管理ユニットであって、
前記プロセッサは、二次電池の端子間の電圧の値に応じて前記二次電池の充電が要か不要かの判断を、前記緩衝記憶装置を用いた演算処理により行う機能を有し、
前記電池管理ユニットは、パワースイッチにより前記二次電池からの電源電圧の供給が制御され、
前記緩衝記憶装置は、第1の記憶素子と、第2の記憶素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、論理素子と、を有し、
前記第1の記憶素子は、前記緩衝記憶装置への前記電源電圧の供給が行われている期間において、データを保持する機能を有し、
前記第2の記憶素子は、前記緩衝記憶装置への前記電源電圧の供給が停止されている期間において、前記データを保持する機能を有し、
前記第2の記憶素子は、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第3のトランジスタのゲートには、前記第4のトランジスタを介して前記データに応じた電位が供給され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記論理素子の入力端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記論理素子の入力端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記論理素子の出力端子は、前記第1の記憶素子に電気的に接続され、
前記論理素子は、入力された電位の極性を反転させて出力する機能を有し、
前記第4のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含み、
前記第1乃至第3のトランジスタは、シリコンをチャネル形成領域に含む電池管理ユニット。
IPC (3件)：
H02J 7/00 ( 200 6.01)
, H02H 7/18 ( 200 6.01)
, H02J 9/00 ( 200 6.01)
H02J 7/00 S
, H02H 7/18
, H02J 9/00
