特許

J-GLOBAL ID：201703018588699077

スイッチング素子

発明者： 斎藤 順 ,  青井 佐智子 ,  浦上 泰
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-035590
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152616
出願日： 2016年02月26日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】 電界集中を抑制することで、スイッチング素子の耐圧を向上させる。【解決手段】 スイッチング素子であって、トレンチを有する半導体基板と、ゲート絶縁層と、ゲート電極を有している。半導体基板が、第1導電型の第1半導体領域と、第2導電型のボディ領域と、トレンチの底面においてゲート絶縁層に接している第2導電型の底部領域と、ボディ領域の下面に接する位置から底部領域の下面に接する位置まで伸びている第1導電型の第2半導体領域を有している。底部領域が、底面のうちのトレンチの長手方向の端部に位置する第1範囲においてゲート絶縁層に接しているとともに前記底面から第1位置まで伸びている第1底部領域と、第1範囲に隣接する第2範囲においてゲート絶縁層に接しているとともに前記底面から前記第1位置よりも下側の第2位置まで伸びている第2底部領域を有している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

スイッチング素子であって、 上面にトレンチが設けられている半導体基板と、 前記トレンチの内面を覆っているゲート絶縁層と、 前記トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁層によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極、 を有しており、 前記半導体基板が、 前記ゲート絶縁層に接している第1導電型の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域の下側で前記ゲート絶縁層に接している第2導電型のボディ領域と、 前記トレンチの底面において前記ゲート絶縁層に接している第2導電型の底部領域と、 前記ボディ領域の下面に接する位置から前記底部領域の下面に接する位置まで伸びており、前記ボディ領域の下側で前記ゲート絶縁層に接しており、前記ボディ領域によって前記第1半導体領域から分離されている第1導電型の第2半導体領域、 を有しており、 前記底部領域が、 前記底面のうちの前記トレンチの長手方向の端部に位置する第1範囲において前記ゲート絶縁層に接しており、前記底面から前記底面よりも下側の第1位置まで伸びている第1底部領域と、 前記底面のうちの前記第1範囲に隣接する第2範囲において前記ゲート絶縁層に接しており、前記底面から前記第1位置よりも下側の第2位置まで伸びている第2底部領域、 を有している、 スイッチング素子。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06

FI (9件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/78 652N