ITO導電膜の成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (9件)：廣田雅紀 , 小澤誠次 , 東海裕作 , 松田一弘 , 堀内真 , 山内正子 , 園元修一 , 山村昭裕 , 有馬昌広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-226687
公開番号（公開出願番号）：特開2017-095743
出願日： 2015年11月19日
公開日（公表日）： 2017年06月01日
要約：

【課題】本発明は、表面に複雑な形状の凹凸を有する基板上において、該凹凸における上面、側面、及び底面に略均一に薄くITO導電膜を成膜する方法を提供することを目的とする。【解決手段】ITO導電膜をミストCVD法で成膜する方法であって、1)インジウム化合物、スズ化合物、及びβ-ジケトン化合物若しくはC1〜C6アルコール類を含有するITO導電膜成膜用原料液を、ミスト化する工程;2)アスペクト比が1.5〜100である凹凸を表面に有する基板を、前記ITO導電膜成膜用原料液の蒸発温度以上に加熱する工程;3)前記基板の表面から高さ1mm〜50mmの空間に、ミスト化したITO導電膜成膜用原料を、前記基板の表面に対して平行に流して、前記基板にミスト化したITO導電膜成膜用原料を接触させる工程;を有する。膜厚が10nm〜200nmのITO導電膜を、前記基板表面の凹凸における上面、側面、及び底面に略均一に成膜することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ITO導電膜をミストCVD法で成膜する方法であって、 1)インジウム化合物、スズ化合物、及びβ-ジケトン化合物若しくはC1〜C6アルコール類を含有するITO導電膜成膜用原料液を、ミスト化する工程; 2)アスペクト比が1.5〜100である凹凸を表面に有する基板を、前記ITO導電膜成膜用原料液の蒸発温度以上に加熱する工程; 3)前記基板の表面から高さ1mm〜50mmの空間に、ミスト化したITO導電膜成膜用原料を、前記基板の表面に対して平行に流して、前記基板にミスト化したITO導電膜成膜用原料を接触させる工程; を有する、膜厚が10nm〜200nmのITO導電膜を、前記基板に成膜する方法。

IPC (3件)：

C23C 16/40 , C01G 19/00 , C23C 16/448

FI (3件)：

C23C16/40 , C01G19/00 A , C23C16/448

Fターム (12件)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030BA11 , 4K030BA16 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA11 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA03

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