特許

J-GLOBAL ID：201703019473085446

半導体素子のパワーサイクル評価試験制御装置

発明者： 馬殿 進路 ,  奥東 祐樹 ,  石川 裕之 ,  松村 圭 ,  高田 真嗣
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-049120
公開番号（公開出願番号）：特開2017-166824
出願日： 2016年03月14日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】供用期間中の熱環境条件が摸擬できる半導体素子のパワーサイクル評価試験制御装置の提供を目的とする。【解決手段】放熱手段10を、パワーデバイス141の表面に実効熱容量を有する熱伝導材10aと、熱伝導材10aを介して密着し、熱放出を操作する即応発熱部10bおよび恒温冷却部10fより構成されると共に、パワーデバイス141の放熱面の温度を検出する温度センサ10eと、前記放熱面の温度に放熱抵抗に依拠する所定の係数を乗じて必要発熱量を算出し、即応発熱部10bに制御信号を出力する放熱制御部10gとを備えた。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子のパワーサイクルの評価試験を制御する半導体素子のパワーサイクル評価試験制御装置であって、 前記半導体素子のチップの発熱を操作する操作部と、 前記半導体素子の目標チップ温度を設定する制御温度設定部と、 前記半導体素子より外部に熱放出する放熱手段と、 前記チップの接合部温度評価信号を出力する温度検出部と、 前記接合部温度評価信号および前記目標チップ温度から、前記操作部の出力信号を制御する試験制御部と、を備えたパワーサイクル評価試験制御装置において、 前記放熱手段は、前記半導体素子の表面に実効熱容量を有する熱伝導材と、前記熱伝導材を介して密着し、熱放出を操作する加熱部および冷却部より構成されると共に、 前記半導体素子の放熱面の温度を検出する温度センサと、 前記放熱面の温度に放熱抵抗に依拠する所定の係数を乗じて必要発熱量を算出し、前記加熱部に制御信号を出力する放熱制御部と、 を備えたことを特徴とするパワーサイクル評価試験制御装置。

IPC (2件)：

G01R 31/26 ,  H01L 23/34

FI (2件)：

G01R31/26 A ,  H01L23/34 D

Fターム (11件)：

2G003AA01 ,  2G003AB16 ,  2G003AC04 ,  2G003AD03 ,  2G003AD06 ,  2G003AE06 ,  2G003AE09 ,  2G003AH05 ,  2G003AH08 ,  5F136HA01 ,  5F136HA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• デバイス評価装置およびデバイス評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-088626   出願人：住友電気工業株式会社
• 環境試験装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-197667   出願人：エスペック株式会社
• 温度制御方法及び温度制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-132550   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “Monitoring IGBT's Health Condition via Junction Temperature Variations”