薄膜トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉川修一 , 傍島正朗
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014003813
公開番号（公開出願番号）：WO2015-068319
出願日： 2014年07月17日
公開日（公表日）： 2015年05月14日
要約：

酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に少なくとも一部が位置し、かつ、絶縁層に形成された開口を介して酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、ソース電極又はドレイン電極に対するチャネル幅方向の酸化物半導体層の一方の張り出し幅をL1(μm)とし、酸化物半導体層におけるキャリア密度をN(cm-3)とすると、L1≧5.041exp(5×10-18N)の関係式を満たす。

請求項（抜粋）：

基板上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に介して、前記ゲート電極と対向する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に少なくとも一部が位置し、かつ、前記絶縁層に形成された開口を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記ソース電極又は前記ドレイン電極に対するチャネル幅方向の前記酸化物半導体層の一方の張り出し幅をL1(μm)とし、前記酸化物半導体層におけるキャリア密度をN(cm-3)とすると、 L1≧5.041exp(5×10-18N)の関係式を満たす、薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/78 618Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 616S , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (74件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD72 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG08 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG26 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM05 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05

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