特許
J-GLOBAL ID:201703019514169927
磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小越 勇
, 小越 一輝
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-033966
公開番号(公開出願番号):特開2016-173871
特許番号:特許第6062586号
出願日: 2016年02月25日
公開日(公表日): 2016年09月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 フッ素含有量が50wtppm以上である炭素粉末をターゲットの原料として用い、粉末焼結法により作製したターゲットであって、磁性をもつ金属のターゲット中にC粒子が分散していることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (4件):
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, G11B 5/851 ( 200 6.01)
, G11B 5/65 ( 200 6.01)
, C01B 32/05 ( 201 7.01)
FI (4件):
C23C 14/34 A
, G11B 5/851
, G11B 5/65
, C01B 31/02 101 B
引用特許:
出願人引用 (3件)
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部分フッ素化炭素の電気化学
公報種別:公表公報
出願番号:特願2008-555538
出願人:カリフォルニアインスティテュートオブテクノロジー, セントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィック(シー.エヌ.アール.エス.), ユニベルシテブレイズパスカル
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中率及び高率電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-359558
出願人:グレイトバッチテクノロジーズアドヴァンストリサーチラボラトリーズインコーポレイテッド
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特開昭59-018108
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