特許
J-GLOBAL ID：201703019537383845
Grown-in欠陥形成のシミュレーション方法及び該シミュレーション方法をもとにしたシリコン単結晶製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-168017
公開番号（公開出願番号）：特開2015-036352
特許番号：特許第6102631号
出願日： 2013年08月13日
公開日（公表日）： 2015年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン単結晶育成中に形成されるGrown-in欠陥の形成をシミュレーションする方法であって、前記Grown-in欠陥のひとつであるVoid欠陥の形成が終了する時点を、前記シリコン単結晶中の酸素濃度が過飽和となる温度に達した時点、もしくは前記シリコン単結晶中の酸素濃度が過飽和となる温度に達した時点から一定時間経過した時点として計算する方法であり、
前記シリコン単結晶中の酸素濃度が過飽和となる温度に達した時点から一定時間経過した時点を、過飽和になった酸素が拡散してVoid欠陥内に内壁酸化膜が形成された時点、もしくは過飽和になった酸素が酸素析出物を形成しVacancyの過飽和が解消された時点とすることを特徴とするGrown-in欠陥形成のシミュレーション方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/20 ( 200 6.01)
C30B 29/06 502 H
, C30B 15/20
