特許

J-GLOBAL ID：201703019700543308

窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法

発明者： 塚田 悠介 ,  久保 秀一 ,  鎌田 和典 ,  藤澤 英夫 ,  大畑 達寛 ,  池田 宏隆 ,  松本 創 ,  三川 豊
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (5件)： 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  下田 俊明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-553086
特許番号：特許第6137197号
出願日： 2013年12月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】M面GaN基板の製造方法であって、 C面GaN基板の窒素極性面上に、a軸に平行なライン形の開口部を有するマスクパターンを形成すること、 該開口部を通して、m軸方向を厚さ方向とする板状のGaN結晶をアモノサーマル成長させること、および、 該板状のGaN結晶からM面基板を切り出すこと を含む、製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/32