特許

J-GLOBAL ID：201703019752151025

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者： 倉田 求 ,  笹川 慎也 ,  村岡 大河 ,  田中 哲弘 ,  肥塚 純一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-256319
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138187
特許番号：特許第6050662号
出願日： 2012年11月22日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化物絶縁膜上の、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、 前記ゲート絶縁膜の上面の一部、及び前記ゲート電極層の側面を覆う領域を有する第1の側壁絶縁層と、 前記第1の側壁絶縁層の側面を覆う領域を有する第2の側壁絶縁層と、 前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域、及び前記第2の側壁絶縁層の側面に接する領域を有するソース電極層と、 前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域、及び前記第2の側壁絶縁層の側面に接する領域を有するドレイン電極層と、 前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の層間絶縁膜と、を有し、 前記第1の側壁絶縁層は、側面に凹部を有し、 前記第1の側壁絶縁層は、酸化アルミニウムを含み、 前記酸化物半導体膜において、前記ゲート電極層と重ならない領域は、ドーパントを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01)

FI (14件)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 27/10 681 E ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 27/10 495 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 381