特許
J-GLOBAL ID:201703019810470322
MEMSデバイス、電子機器及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-064137
公開番号(公開出願番号):特開2017-177240
出願日: 2016年03月28日
公開日(公表日): 2017年10月05日
要約:
【課題】SOI基板を用いないことで、加工精度が高いMEMSデバイス、電子機器及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の層111の第1の面に第1の配置を有する溝部を形成し、第1の層とは異なる材料を溝部に充填して、第1の配置を有する第1のエッチングストッパ層121を形成し、第1の層の第1の面に第2の層131を接続して積層基板を形成し、第1のエッチングストッパ層と対向する前記積層基板の面から、第1のエッチングストッパ層の少なくとも一部に接続する開口部171、172,173を形成する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
第1の層の第1の面に第1の配置を有する溝部を形成し、前記第1の層とは異なる材料を前記溝部に充填して、第1の配置を有する第1のエッチングストッパ層を形成し、
前記第1の層の第1の面に第2の層を接続して、積層基板を形成し、
前記第1のエッチングストッパ層と対向する前記積層基板の面から、前記第1のエッチングストッパ層の少なくとも一部に接続する開口部を形成するMEMSデバイスの製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (31件):
2H141MA12
, 2H141MB24
, 2H141MC06
, 2H141MD12
, 2H141MD16
, 2H141MD20
, 2H141MD23
, 2H141MD24
, 2H141MZ06
, 2H141MZ16
, 2H141MZ19
, 2H141MZ22
, 2H141MZ24
, 2H141MZ27
, 2H141MZ28
, 3C081AA01
, 3C081AA17
, 3C081BA28
, 3C081BA44
, 3C081BA47
, 3C081BA55
, 3C081CA02
, 3C081CA14
, 3C081CA20
, 3C081CA32
, 3C081CA33
, 3C081DA03
, 3C081DA06
, 3C081DA08
, 3C081DA30
, 3C081EA08
前のページに戻る