特許
J-GLOBAL ID:201703019837244790

パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016052255
公開番号(公開出願番号):WO2016-147702
出願日: 2016年01月27日
公開日(公表日): 2016年09月22日
要約:
パターン形成方法は、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜上に上層膜を形成する工程と、上記上層膜が形成された上記レジスト膜を露光する工程と、上記露光された上記レジスト膜を有機系現像液を用いて現像してパターンを形成する工程とを備え、上記酸の作用により極性が増大する樹脂が、炭素数4〜7の酸脱離性基aを有する酸分解性繰り返し単位を含み、かつ、上記酸脱離性基aの炭素数の最大値および保護率が特定の条件を満たす。
請求項(抜粋):
酸の作用により極性が増大する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、基板上に塗布して、レジスト膜を形成する工程aと、 前記レジスト膜上に上層膜形成用組成物を塗布することにより、前記レジスト膜上に上層膜を形成する工程bと、 前記上層膜が形成された前記レジスト膜を露光する工程cと、 前記露光された前記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程dと、 を備え、前記酸の作用により極性が増大する樹脂が、炭素数4〜7の酸脱離性基aを有する酸分解性繰り返し単位を含む樹脂であって、かつ、下記(i-1)〜(iv-1)のいずれかに該当する樹脂である、パターン形成方法。 (i-1):前記酸脱離性基aの炭素数の最大値が4であり、保護率が70モル%以下である樹脂 (ii-1):前記酸脱離性基aの炭素数の最大値が5であり、保護率が60モル%以下である樹脂 (iii-1):前記酸脱離性基aの炭素数の最大値が6であり、保護率が47モル%以下である樹脂 (iv-1):前記酸脱離性基aの炭素数の最大値が7であり、保護率が45モル%以下である樹脂 ただし、保護率は、前記樹脂に含まれる全ての酸分解性繰り返し単位の合計の、全繰り返し単位に占める割合を意味する。
IPC (5件):
G03F 7/038 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/26 ,  G03F 7/20
FI (5件):
G03F7/038 601 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/26 ,  G03F7/20 521
Fターム (85件):
2H197AA09 ,  2H197AA12 ,  2H197BA17 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197HA02 ,  2H197HA03 ,  2H197HA05 ,  2H197HA10 ,  2H197JA21 ,  2H197JA22 ,  2H225AF16N ,  2H225AF24N ,  2H225AF24P ,  2H225AF52P ,  2H225AF53P ,  2H225AF54P ,  2H225AF62N ,  2H225AF68P ,  2H225AF70P ,  2H225AF71N ,  2H225AF75P ,  2H225AF99P ,  2H225AH11 ,  2H225AH12 ,  2H225AH19 ,  2H225AH33 ,  2H225AH49 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ55 ,  2H225AJ56 ,  2H225AL03 ,  2H225AL11 ,  2H225AM23N ,  2H225AM27N ,  2H225AM86P ,  2H225AN11N ,  2H225AN11P ,  2H225AN31N ,  2H225AN32N ,  2H225AN34N ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN42P ,  2H225AN54P ,  2H225AN56N ,  2H225AN62N ,  2H225AN62P ,  2H225AN63N ,  2H225AN65P ,  2H225AN66P ,  2H225AN68N ,  2H225AN72N ,  2H225AN73N ,  2H225AN82N ,  2H225AN82P ,  2H225AN86N ,  2H225AN86P ,  2H225BA01N ,  2H225BA01P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225BA32P ,  2H225BA33P ,  2H225CA12 ,  2H225CB10 ,  2H225CC01 ,  2H225CC15 ,  2H225CD05 ,  4J100AL08P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38

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