特許
J-GLOBAL ID:201703019882885390

表示装置、表示モジュール及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-150972
公開番号(公開出願番号):特開2016-212435
出願日: 2016年08月01日
公開日(公表日): 2016年12月15日
要約:
【課題】薄膜トランジスタの作製工程を簡略化したEL表示装置を提供する。【解決手段】EL表示装置の薄膜トランジスタは、第1の導電膜102と、絶縁膜104と、半導体膜106と、不純物半導体膜108と、第2の導電膜110とを積層し、この上に第1のレジストマスクを形成し、第1のエッチングを行って薄膜積層体114を形成し、薄膜積層体に対してサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層116A,116Bを形成し、第2のレジストマスクを用いてソース電極及びドレイン電極層等を形成する。【選択図】図7
請求項(抜粋):
画素部を有し、 前記画素部は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、を有し、 前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、 前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、 前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の配線と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、画素電極と電気的に接続され、 前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の導電層を介して、前記第3の配線と電気的に接続され、 前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、 前記第1の配線は、第1の方向に沿うように設けられた領域を有し、 前記第2の配線は、前記第1の方向に沿うように設けられた領域を有し、 前記第3の配線は、前記第1の方向に沿うように設けられた領域を有し、 前記第1の導電層は、前記第1の配線と交差する領域を有することを特徴とする表示装置。
IPC (4件):
G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26
FI (4件):
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z
Fターム (18件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB08 ,  3K107CC35 ,  3K107CC36 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD39 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08

前のページに戻る