特許
J-GLOBAL ID：201703019893398016
有機半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170503
公開番号（公開出願番号）：特開2015-041636
特許番号：特許第6160361号
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属材料を含むソース電極、ドレイン電極およびデータ配線が形成された基材上に、有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、
前記ドレイン電極に達するコンタクトホールが形成されるコンタクトホール領域以外の前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データ配線が形成されている電極領域、ならびに前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネル領域の前記有機半導体層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層および前記有機半導体層に真空紫外光を照射することにより、前記レジスト層が形成されていない部位の前記有機半導体層をエッチングし、前記レジスト層を除去する有機半導体層パターニング工程と
を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 619 B
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/28 100 A
