特許
J-GLOBAL ID：201703019958541849
サファイア単結晶育成用坩堝およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人貴和特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-055608
公開番号（公開出願番号）：特開2014-181142
特許番号：特許第6060755号
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 融点が2400°C以上で、かつ、2040°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/°C以下であるタングステンまたはタングステンを含む合金からなり、内周面のうち、サファイア単結晶の育成中において、少なくともサファイア原料融液の上面と接触する部分に、前記内周面と該サファイア原料融液との固着を防止するための固着防止層が形成されており、
該固着防止層は、タングステンまたはタングステン合金を構成する成分と、5質量%以上の金属元素Mとの合金により構成されており、Mは、Pt、Pd、Re、Rh、Irから選択される1種以上の元素であり、
該固着防止層の表面におけるタングステンの含有率が20質量%以上、かつ、金属元素Mの含有率が20質量%以上であって、
該固着防止層の厚さが0.05μm〜50μmである、
サファイア単結晶育成用坩堝。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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