特許
J-GLOBAL ID：201703019984722126
半導体積層基板および半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-538236
特許番号：特許第6142877号
出願日： 2013年07月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板上に形成された窒化物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成され、窒化物半導体からなり、基板横方向に導電性を有する電界制御層と、
前記電界制御層上に形成された窒化物半導体からなる電界緩和層と、
前記電界緩和層上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、
を備え、
前記電界制御層の基板横方向の抵抗が、前記電界緩和層の膜厚方向の抵抗の10倍以下であり、
前記電界緩和層の膜厚と前記バッファ層の膜厚との比によって、前記電界緩和層と前記バッファ層との電界分担の比を制御しており、
前記バッファ層、前記電界制御層、および前記電界緩和層の膜厚の総和に対する前記電界緩和層の上面と前記電界制御層の上面との間の距離の比が、0.3〜0.8の範囲にある
ことを特徴とする半導体積層基板。
IPC (12件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 29/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 D
, H01L 29/06 301 D
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 M
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/44 Y
, H01L 29/205
, H01L 29/86 301 M
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/80 H
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 301 B
