特許
J-GLOBAL ID:201703020041737556
撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山本 孝久
, 吉井 正明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-193919
公開番号(公開出願番号):特開2017-157816
出願日: 2016年09月30日
公開日(公表日): 2017年09月07日
要約:
【課題】半導体基板の上あるいは上方に光電変換部が配置された撮像素子であって、撮像画質の低下を抑制し得る構成、構造の撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子は、第1電極11、光電変換層15及び第2電極16が積層されて成る光電変換部を備えており、光電変換部は、更に、第1電極11と離間して配置され、且つ、絶縁層82を介して光電変換層15と対向して配置された電荷蓄積用電極12を備えている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている撮像素子。
IPC (5件):
H01L 27/146
, H01L 31/10
, H01L 27/14
, H04N 5/369
, H04N 5/374
FI (6件):
H01L27/14 E
, H01L31/10 H
, H01L27/14 D
, H04N5/335 690
, H04N5/335 740
, H01L27/14 A
Fターム (60件):
4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA14
, 4M118CB02
, 4M118CB03
, 4M118CB05
, 4M118CB06
, 4M118CB08
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118DD04
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118FB23
, 4M118GA02
, 4M118GB03
, 4M118GB11
, 4M118GB13
, 4M118GB15
, 4M118GC07
, 4M118GC14
, 4M118GC15
, 4M118GD04
, 5C024CX05
, 5C024CX51
, 5C024EX03
, 5C024EX43
, 5C024GX07
, 5C024GX16
, 5C024GX18
, 5C024GY31
, 5C024GY39
, 5C024GY41
, 5C024GZ01
, 5C024HX02
, 5F849AA03
, 5F849AB02
, 5F849AB07
, 5F849AB09
, 5F849AB11
, 5F849BA04
, 5F849BB03
, 5F849CB06
, 5F849CB07
, 5F849DA05
, 5F849EA04
, 5F849EA11
, 5F849FA02
, 5F849FA03
, 5F849FA04
, 5F849FA05
, 5F849FA15
, 5F849GA04
, 5F849HA05
, 5F849HA10
, 5F849HA20
, 5F849XA13
, 5F849XA23
引用特許:
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