特許

J-GLOBAL ID：201703020081454972

電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材

発明者： 村田 英夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-178563
公開番号（公開出願番号）：特開2017-066519
出願日： 2016年09月13日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

【課題】 AlまたはAl合金からなる導電層と、この導電層の少なくとも一方を覆う被覆層に、密着性、耐食性、耐酸化性を確保するとともに、安定して高精度のウェットエッチングを行なうことが可能となる新規な被覆層を有する電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 AlまたはAl合金からなる導電層と、該導電層の少なくとも一方の面を覆う被覆層を有する電子部品用積層配線膜において、前記被覆層はNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜およびNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなる被覆層形成用スパッタリングターゲット材。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

AlまたはAl合金からなる導電層と、該導電層の少なくとも一方の面を覆う被覆層を有する電子部品用積層配線膜において、前記被覆層はNiを30〜75原子%、MnおよびCuから選択される一種以上の元素を含有し、残部がMoおよび不可避的不純物からなることを特徴とする電子部品用積層配線膜。

IPC (8件)：

C22C 27/04 ,  C22C 19/03 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/285

FI (7件)：

C22C27/04 102 ,  C22C19/03 G ,  C23C14/34 A ,  C23C14/14 G ,  H01L21/88 R ,  H01L21/88 N ,  H01L21/285 S

Fターム (26件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029BA25 ,  4K029BB02 ,  4K029BC01 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104DD40 ,  4M104FF13 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH20 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033XX14 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20