特許

J-GLOBAL ID：201703020130744507

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 上田 俊策 ,  原田 真 ,  佐々木 将
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-099701
公開番号（公開出願番号）：特開2017-206408
出願日： 2016年05月18日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】貫通転位が少なくかつ厚い炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本開示に係る炭化珪素単結晶の製造方法は以下の工程を有している。主面を有する種結晶と、固体の原料とが準備される。原料を昇華させ、主面上に再結晶化させることにより炭化珪素単結晶を成長させる。炭化珪素単結晶を成長させる工程は、第1工程と、第1工程後に実施される第2工程とを含む。第1工程においては、主面の中央から主面の外周に向かって温度が高くなるように構成され、外周と中央とは第1温度差を有する。第2工程においては、中央から外周に向かって温度が高くなるように構成され、外周と中央とは第1温度差よりも小さい第2温度差を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

主面を有する種結晶と、固体の原料とを準備する工程と、 前記原料を昇華させ、前記主面上に再結晶化させることにより炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、 前記炭化珪素単結晶を成長させる工程は、第1工程と、前記第1工程後に実施される第2工程とを含み、 前記第1工程においては、前記主面の中央から前記主面の外周に向かって温度が高くなるように構成され、前記外周と前記中央とは第1温度差を有し、 前記第2工程においては、前記中央から前記外周に向かって温度が高くなるように構成され、前記外周と前記中央とは前記第1温度差よりも小さい第2温度差を有する、炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EF01 ,  4G077EG15 ,  4G077EH01 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07 ,  4G077SA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-184657   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー, 昭和電工株式会社