特許

J-GLOBAL ID：201703020903356196

超電導磁石装置およびその励磁方法

発明者： 宮副 照久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-067040
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183441
出願日： 2016年03月30日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：

【課題】 本発明の目的は超電導磁石を大型化することなく、省冷媒冷却下において時間的に安定な高磁場を高速に発生させることが可能な超電導磁石装置が提供することである。【解決手段】 電磁石と磁場増幅装置から構成され、磁場増幅装置は断熱容器とその中に位置する超電導体と熱源および冷却機構からなり、磁場を増幅させる超電導体は電磁石の磁場発生時にあらかじめ磁化されていることを特徴とする超電導磁石装置を提供する。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

超電導磁石装置であって、 電磁石と、 前記電磁石に設置された磁場増幅装置と、を少なくとも有し、 前記磁場増幅装置は、 断熱容器と、 前記断熱容器内に配置された超電導体と、 前記超電導体の温度を調整する温度調整部と、を少なくとも有し、 前記超電導体は、 両端面に開口部を有する部材であって、かつ予め磁化されている ことを特徴とする超電導磁石装置。

IPC (8件)：

H01F 6/00 ,  A61B 5/055 ,  G01R 33/381 ,  A61N 5/10 ,  H05H 13/04 ,  H05H 13/00 ,  H05H 7/04 ,  H01L 39/04

FI (8件)：

H01F6/00 150 ,  A61B5/05 331 ,  G01N24/06 510C ,  A61N5/10 H ,  H05H13/04 ,  H05H13/00 ,  H05H7/04 ,  H01L39/04

Fターム (24件)：

2G085AA11 ,  2G085AA13 ,  2G085BC10 ,  2G085BC18 ,  2G085BE02 ,  4C082AC04 ,  4C082AE01 ,  4C082AG12 ,  4C096AB32 ,  4C096CA02 ,  4C096CA03 ,  4C096CA15 ,  4C096CA17 ,  4C096CA70 ,  4M114AA19 ,  4M114AA21 ,  4M114BB04 ,  4M114CC03 ,  4M114CC15 ,  4M114CC16 ,  4M114CC18 ,  4M114DA01 ,  4M114DA32 ,  4M114DA47