特許

J-GLOBAL ID：201703020981590278

半導体装置

発明者： 坂田 淳一郎 ,  佐々木 俊成 ,  細羽 みゆき
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-160833
公開番号（公開出願番号）：特開2017-011287
特許番号：特許第6177398号
出願日： 2016年08月18日
公開日（公表日）： 2017年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上方の第1の導電層と、 前記第1の導電層上方の第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上方の酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の上面と接する第2の導電層と、 前記酸化物半導体層の上面と接する第3の導電層と、 前記酸化物半導体層上方の第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層上方の第4の導電層と、を有し、 前記第1の導電層は、トランジスタの第1のゲートとして機能する領域を有し、 前記第4の導電層は、前記トランジスタの第2のゲートとして機能する領域を有し、 前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第1の導電層は前記酸化物半導体層より幅が広い領域を有し、 前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第4の導電層は、前記酸化物半導体層よりも幅が狭い領域を有し、 遮光性を有する金属層を有し、 前記第4の導電層は、透光性を有し、 前記金属層は、前記第4の導電層及び前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/14 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 K ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/14 Z ,  H01L 29/78 617 N