特許
J-GLOBAL ID：201703021090369976

ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ

発明者：
宮下 真人

宮下 真人 について

, 
渡辺 真人

渡辺 真人 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-045862
公開番号（公開出願番号）：特開2017-160156
出願日： 2016年03月09日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】 高いキャリア移動度、高耐熱性、及び高耐酸化性を併せ持つ塗布型の有機半導体材料である新規なヘテロアセン誘導体、これを用いた有機半導体層及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。【化1】(ここで、R1〜R8は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数1〜14のアルキル基、炭素数1〜14のアシル基、炭素数4〜16のアリール基、炭素数2〜14のアルケニル基、または炭素数2〜14のアルキニル基を示す。T1及びT2は、それぞれ独立して硫黄原子、酸素原子、窒素原子、またはセレン原子を示す。)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。
IPC (7件)：
C07D 495/22 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/05
FI (7件)：
C07D495/22 ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C09K11/06 635 ,  H01L29/28 100A
Fターム (48件)：
4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB03 ,  4C071BB06 ,  4C071CC25 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071KK01 ,  4C071KK14 ,  4C071LL07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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