特許

J-GLOBAL ID：201703021132855523

半導体装置

発明者： 高村 明男
出願人/特許権者： 株式会社三社電機製作所
代理人 (1件)： 大槻 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-104663
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212344
出願日： 2016年05月25日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：

【課題】 封止材の這い上がりを抑制しつつ、小型化可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子22が配設された支持基板2と、支持基板2が底面開口を塞ぐように取り付けられ、半導体素子22を取り囲むように少なくとも1つ以上のコーナー部5が形成されている側壁30を有するケース3と、半導体素子22に接続されている脚部41a、及び、支持基板2に対して略垂直に曲げ加工で形成されている脚部41aの端部から延びる垂直部41bを有し、垂直部41bの上端がケース3外に引き出されている外部端子41と、支持基板2上に封止材6aを注入して形成されている封止層6とを備える。外部端子41は、垂直部41bの側面が側壁30の内面30aと対向するように取り付けられ、側壁30の内面30aには、外部端子41の側面と対向して水平方向に幅を有するリブ33が、封止層6の上面よりも高い位置に形成されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体素子が配設された支持基板と、 上記支持基板が底面開口を塞ぐように取り付けられ、上記半導体素子を取り囲むように少なくとも1つ以上のコーナー部が形成されている側壁を有するケースと、 上記半導体素子に接続されている脚部と、上記支持基板に対して略垂直に曲げ加工で形成されている上記脚部の端部から延びる垂直部とを有し、上記垂直部の上端が上記ケース外に引き出されている外部端子と、 上記支持基板上に封止材を注入して形成されている封止層とを備え、 上記外部端子は、上記垂直部の側面が上記側壁の内面と対向するように取り付けられ、 上記側壁の上記内面には、水平方向の幅を有し、先端面が上記ケースの内部方向に向けて突出しており、下面根元部が上記側壁の上記内面と角を形成しているリブが、上記封止層の上面よりも高い位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/30 R

Fターム (6件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA02 ,  4M109DB07 ,  4M109DB10 ,  4M109EA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-148845
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-218743   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-208253
  
• 特開昭62-104145