特許

J-GLOBAL ID：201703021173758338

酸化シリコンから構成された領域を選択的に除去する方法及びプラズマ処理装置

発明者： 北村 彰規 ,  大竹 浩人 ,  鈴木 鋭二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-256118
公開番号（公開出願番号）：特開2015-065393
特許番号：特許第6086862号
出願日： 2013年12月11日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化シリコンから構成された第1領域とシリコンから構成された第2領域を有する被処理体から該第1領域を選択的に除去する方法であって、 前記被処理体を収容した処理容器内において、水素、窒素、及びフッ素を含有する処理ガスのプラズマを生成し、前記第1領域の一部を変質させて、変質領域を形成する工程と、 前記処理容器内において前記変質領域を除去する工程と、 を各々が含む複数回のシーケンスを実施することを含み、 前記被処理体の前記第2領域が前記処理ガスの前記プラズマに晒されて前記第2領域内に酸化領域が形成されるように前記複数回のシーケンスを実施した後に、前記被処理体の前記第2領域の前記酸化領域を還元するために、前記処理容器内において発生させた還元性ガスのプラズマに前記被処理体を晒す、 方法。

IPC (1件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/302 105 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-105784   出願人：東京エレクトロン株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-005219   出願人：三星電子株式会社, 株式会社アルバック