特許
J-GLOBAL ID：201703021377920487
半導体レーザダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273422
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120556
特許番号：特許第6070147号
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の上に積層された下クラッド層と、
前記下クラッド層の上に積層された活性層と、
前記活性層の上に積層された上クラッド層と、
前記活性層の対向する2つの端部のうち一方を前端面とし他方を後端面として、前記前端面の反射率よりも前記後端面の反射率が高く形成された共振器と、
前記活性層における利得を前記前端面の側よりも前記後端面の側で小さくする利得制御構造と、
を備え、
前記利得制御構造は、前記活性層に供給する電流の電流密度を前記前端面の側より前記後端面の側で小さくするものであり、
前記利得制御構造は、前記活性層に積層され前記活性層に注入される電流が前記前端面の側より前記後端面の側で小さくなるように電流を狭窄するストライプ構造を含み、
前記ストライプ構造は、前記前端面の側に設けられた前端面側部分と、前記後端面の側に設けられた後端面側部分と、を備え、
前記ストライプ構造は、前記後端面側部分において複数のストライプに分岐し、前記前端面側部分で前記複数のストライプが合流したものであり、
前記後端面の側へいくほど前記複数のストライプの間隔が広がり、前記後端面の側へいくほど前記ストライプ構造の幅が広がることを特徴とする半導体レーザダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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